6月30日晚，紫光集團發布消息，宣布組建DRAM事業群，委任刁石京為紫光集團DRAM事業群董事長，高啟全為紫光集團DRAM事業群CEO。紫光集團一直致力于打造“從芯到云”的發展戰略，經過多年發展，在存儲器的設計制造領域已形成一定基礎，積累了從設計、生產、測試、方案構建到全球量產銷售等研發和產業化經驗。

只是之前紫光集團的工作重心一直放在長江存儲的3D NAND 上。此次組建DRAM事業群，標志著紫光集團DRAM戰略正式起航，將把DRAM業務提到集團發展的重要議事日程之上。

特別值得關注的是，當前正處于全球DRAM市場的低潮期。紫光集團能夠在這個時間點下決心布局發展DRAM事業，顯示出產業謀劃上的前瞻性與決斷力。

下一階段的發展重心

應該說紫光發展DRAM事業是早有謀劃的。武漢、南京、成都是紫光集團目前在存儲器產業上重點布局的三大基地：2016年7月，紫光集團在武漢新芯公司基礎上，聯合國家集成電路產業投資基金、湖北集成電路產業投資基金、湖北省科技投資集團共同出資組建長江存儲公司，負責國家存儲器基地(總投資1600億元)的研發、建設和運營。

2017年2月紫光集團總投資建設紫光南京半導體產業基地，一期月產能10萬片，二期月產能20萬片，主要生產存儲芯片。2018年初，啟動的成都天府新區紫光IC國際城項目，計劃建設12英寸存儲器晶圓生產線，并開展存儲器芯片及模塊、解決方案等關聯產品的研發、制造和銷售。

在武漢、南京、成都三大基地的啟動儀式上，紫光集團董事長趙偉國都表示要投資生產3D NAND和DRAM芯片。因此，紫光集團全面發展存儲器兩大主流產品DRAM和NAND的意圖是非常明顯的。只是由于長江存儲的建設率先啟動，紫光集團前期將主要精力投入在了長江存儲方向，而長江存儲前期規劃的主力產品又是3D NAND Flash，所以給外界造成的印象是紫光重點發展NAND Flash，而非DRAM。

實際上，紫光從未否認投入DRAM的意圖。而此次紫光集團宣布成立DRAM事業群，則表明了紫光已經把DRAM業務提到集團發展的重要議事日程之上，下一階段紫光會將更多的集團資源投入到DRAM方面。

面臨什么樣的挑戰?

那么，紫光投入DRAM有什么挑戰呢?從產業格局上分析，目前全球市場上DRAM的玩家只有三星、SK海力士和美光三家公司。2018年三家公司的市場占有率超過95%，其中三星占全球市場份額的43.9%，SK海力士為29.5%。美光公司為22.1%。DRAM的產業集中度比NAND更高。這意味著發展DRAM比NAND Flash 更具挑戰性。

從技術上分析，目前三大DRAM廠商的主力工藝已經進入20nm，其中三星的進度最快。日前三星宣布已經開發出1znm工藝的8Gb DDR4 DRAM內存，計劃在今年下半年開始大規模量產。在20nm以下，DRAM工藝預計將經過兩到三次的技術迭代，可以稱之為1x nm，1y nm和1z nm。其中，1x nm介于16nm和19nm之間，1y nm定義為14nm到16nm，1z nm則是12nm到14nm。三星在研發上已經推進到1z nm，可說是相當領先。此前業界曾有預計15nm節點將是傳統DRAM的終點。雖然在三星在技術上已經做出突破，可以將工藝向更加微縮的方向推進，但是同時也說明未來的DRAM技術門檻將會越來越高。

不同于邏輯芯片，存儲器首先比拼的就是先進工藝技術和成本，而投入更先進工藝的目的也是為了最終降低成本，提高產量。這是一個勝者通吃的行業。后進入者面臨的挑戰會越來越大。

為何還要大舉投入?

那么，紫光為什么還要投入DRAM的發展呢?就筆者觀點：首先是“兩翼齊飛”才能飛得更穩。DRAM和NAND Flash兩大主流存儲技術的發展是相輔相承，相互支持的。三星、SK海力士和美光存儲三強都是全面發展DRAM和NAND Flash的，甚至包括了相對小眾的NOR Flash，以及下一代存儲器如磁阻式內存(MRAM)、電阻式內存(RRAM)等。在產品線更加齊全的情況下，當某一產品價格下跌，另一產品可以提供支援。存儲器的價格變化十分劇烈，相對于邏輯芯片來說市場風險更高。多產品線發展可以避免產品線單一帶來的風險。

此外，下一代存儲器往往兼具易失性存儲器(如DRAM)和非易失性存儲器(如NAND Flash)產品的特性。只有提前布局發展兩大產品，才有望在下一代存儲器的競爭中占據先機，那種想在毫無晶圓制造基礎的情況下就寄望在下一代存儲技術的競爭中彎道超車是很不現實的。

從市場角度來看，目前全球DRAM市場正處于下行周期。集邦咨詢(TrendForce)近日正式下修第三季度DRAM價格展望，跌幅由原先預估的10%，擴大至10%~15%。這樣的市況似乎并不利于DRAM廠商的發展。

但是，有遠見的公司往往會利用這樣的時機，逆周期擴張。只要決心夠大，口袋夠深，往往會取得不錯的結果。就像三星在過去十幾年中的做法那樣，三星往往會在其他公司因為存儲市場下滑，砍掉部分產線的時候，逆向操作進行投資擴產，雖然會面臨更大的市場風險，但當市場轉曖的時候卻能搶得先機。真正存儲芯片市場決勝的時間也將在下一個周期展開。

有沒有成功的機會?

紫光集團選擇在這個時機投入DRAM，有沒有成功的機會呢?首先，紫光集團在DRAM領域擁有一定的產業和技術基礎。西安紫光國芯前身為西安華芯半導體有限公司，是由原奇夢達科技(西安)有限公司2009年5月改制重建的基礎上發展起來的。而奇夢達科技(西安)有限公司又是2003年作為德國英飛凌科技存儲器事業部在西安成立。

2006年伴隨著存儲器事業部從英飛凌科技全球拆分上市成為奇夢達科技，奇夢達科技(西安)有限公司也隨之成立并開始作為一家獨立的公司運營。2009年，浪潮集團收購原德國奇夢達科技(西安)有限公司進行改制重建并更名為西安華芯半導體有限公司。2015年，紫光集團旗下紫光國芯股份有限公司收購西安華芯半導體有限公司并更名為西安紫光國芯半導體有限公司。

目前西安紫光國芯是全球少數擁有DRAM設計能力的公司之一，其自主開發了全球首系列內嵌自檢測修復DRAM存儲器產品(ECC DRAM);產品線覆蓋標準SDR、DDR、DDR2、DDR3、DDR4和低功耗系列LPDDR2、LPDDR4，其中二十余款產品實現全球量產和銷售;存儲器模組產品包括服務器內存模組(RDIMM，NVDIMM)、筆記本內存模組(SODIMM)和臺式機內存模組(UDIMM)，四十余款模組產品實現全球量產和銷售;同時還開發有包括GDDR6等相關的存儲器controler 和PHY IP核，并在大帶寬存儲器、近存/存內計算存儲器、嵌入式存儲SRAM和新型存儲器RRAM領域進行了研發和布局。

去年10月，西安紫光國芯出售給了北京紫光存儲科技。北京紫光存儲科技與紫光國微同為紫光集團控股，業務涉及安全存儲、集群存儲、服務器、一體機等。通過這一舉措也可看出，紫光集團從很早就在進行內部整合。此次DRAM事業部的成立并非一時興起。

在人才資源方面，紫光集團并不缺乏DRAM方面的領軍人物。本次被任命為DRAM事業群董事長的刁石京，現擔任紫光集團聯席總裁、紫光國微董事長、紫光展銳執行董事長、長江存儲執行董事等職務。刁石京在ICT(信息、通訊與技術)領域擁有超過 30 年的行業工作經驗，曾先后擔任國家工業和信息化部(以下簡稱工信部)電子信息司司長、國務院信息化工作辦公室綜合組副巡視員、信息產業部辦公廳部長辦公室副主任等職務;刁石京還曾兼任全國信息技術標準化技術委員會副主任委員、全國音頻視頻及多媒體系統與設備標準化技術委員會主任委員、工信部電子科技委副主任委員、工信部通信科技委委員;他曾負責國家電子產業規劃、產業政策制定、基礎電子與信息通信行業經營及管理等方面的工作。

被任命為DRAM事業群CEO的高啟全先生，現擔任紫光集團全球執行副總裁、長江存儲執行董事及代行董事長、武漢新芯CEO。從1980年起，高啟全便在半導體及DRAM領域從業，先后在美國仙童半導體、英特爾等公司任職。1985年至1986年他在韓國及日本當顧問，曾任現代電子(海力士前身)DRAM顧問。1987年高啟全加入臺積電任一廠廠長，后創辦旺宏電子，高啟全還曾任臺灣DRAM公司南亞科技總經理、華亞科技董事長等職務，是華人在全球DRAM界最資深的人士之一，有“臺灣存儲教父”之稱。

除領軍人才外，近年來武漢長江存儲和西安紫光國芯培養出了一批優秀的工程師隊伍?？梢哉f，紫光已經擁有了一定的發展DRAM的人才資源基礎。

中國發展DRAM最大的難題就是人才資源和技術專利。紫光前期對這兩個方面都進行了一定的布局，再配合上晶圓制造上的支持，武漢長江存儲基地已擁有一定成功經驗，南京基地已展開建設。紫光集團正探索出一條存儲器設計制造的產業發展之路。

事實上，中國發展DRAM事業，本身就是在走一條極為艱難之路。只有狠下一條心，丟掉一切幻想，加強自主創新，才有成功的希望。就象紫光集團董事長趙偉國所言：“要有‘板凳要坐十年冷’的心理準備和戰略耐力。”

圖片聲明：封面圖片來源于紫光集團官網