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新聞動態
華邦電新12英寸廠上梁，2021年正式進入量產
存儲器大廠華邦電于高雄路竹科學園區所新建的12英寸晶圓廠，22日舉行上梁典禮。這也象征著華邦電新12英寸晶圓廠的興建案原定計劃實施中，也使得擴產計劃逐步實現。據了解，22日華
SOI生成方式演進，這項技術呼聲最高
所謂SOI技術是由Si晶圓透過特殊氧化反應，使氧化層(Buried Oxide)形成于Si層與Si晶圓間，最終產生Si/SiO2(Buried Oxide)/Si Substrate結構。
存儲器封測需求旺 南茂第4季業績續看增
半導體封測大廠南茂第4季業績可望較第3季成長，毛利率可維持第3季水準，第4季存儲器封測成長幅度可高于面板驅動IC封測，明年整體業績表現可較今年好。南茂董事長鄭世杰昨天表示
DRAM現貨價漲 后市還待觀察
日本對南韓實施限制三項電子關鍵材料出口，引起后續材料恐短缺疑慮，激勵DRAM與NAND Flash現貨價應聲上漲，帶動南亞科、旺宏、華邦電等存儲器族群昨股價帶量上漲，這是存儲器史上第
臺積電5納米良率達到50% 明年第1季量產月產能上看8萬片
根據臺積電總裁魏哲家日前在法人說明會中的說法指出，臺積電的5納米制程(N5)已進入風險試產階段，并有不錯的良率表現。對此，根據供應鏈的消息指出，目前已經進入風險試產階段的