公司簡介： 蘇州晶湛半導體有限公司成立于2012年3月，坐落于江蘇省蘇州市工業園區納米城，致力于氮化稼（GaN）外延材料的研發及產業化。為契合產業發展趨勢，公司已榮獲“蘇州工業園區科技領軍人才”、“姑蘇創新創業領軍人才”、“江蘇省創新創業領軍人才”及第十一批國家“千人計劃”,并于2015年度榮獲蘇州市技術發明一等獎。2013年，晶湛在蘇州納米城建設了一條國際先進的GaN外延材料生產線，可年產150mm氮化鎵外延片2.4萬片。公司在該領域已掌握多項核心技術, 擁有自主知識產權，并在國內外申請了多項發明專利，產品技術指標已達到國際領先水平。2014年，蘇州晶湛發布了200毫米Si襯底上高壓GaN HEMT材料，攻克了Si襯底上高壓GaN外延片一直存在的翹曲度大及緩沖層漏電的世界難題，產品技術領先于國際水平。晶湛公司是目前國際上為數不多的氮化鎵電力電子材料供應商之一，也是國內唯一一家氮化鎵電子材料供應商，可以批量生產200mm GaN-on-Si高壓外延材料。此外，晶湛公司還提供性能卓越的GaN-on-SiC,GaN-on-Sapphire外延片，并且可以根據客戶需求進行尺寸定制。GaN-on-Si電子電子材料囊括了工業電子、消費電子、太陽能逆變器、電動/混合動力汽車電子等應用領域，擁有廣闊的市場前景。

半導體材料及器件、電子產品、電氣設備的設計、測試、技術開發、生產、加工、銷售及咨詢服務，從事上述產品及技術的進出口業務。（依法須經批準的項目，經相關部門批準后方可開展經營活動）