美光在臺擴廠 加碼903億元建兩座晶圓廠
全球第三大DRAM廠美商美光（Micron）加碼投資中國臺灣地區，要在現有中科廠區旁興建兩座晶圓廠，總投資額達新臺幣4,000億元（約合人民幣903億元），以生產下世代最新制程生產DRAM。時
存儲器
美光宣布量產第3代10納米級制程DRAM
根據國外科技媒體《Anandtech》的報導指出，日前美系存儲器大廠美光科技(Micron)正式宣布，將采用第3代10納米級制程(1Znm)來生產新一代DRAM。而首批使用1Znm制程來生產的DRAM將會是16GB的D
日韓貿易戰推現貨存儲器反彈，合約市場仍未撼動
6月東芝停電事件，加上7月開始日韓貿易戰延燒，推動了已跌到虧損流血的NAND Flash現貨價率先反彈，結束了2年多來的空頭走勢，此波存儲器價格由NAND Flash先起漲，接下來日韓貿易戰加入
美光新加坡Fab 10A閃存工廠完成擴建
存儲器大廠美光科技（Micron）14日宣布完成新加坡NAND Flash廠Fab 10A擴建！美光執行長Sanjay Mehrotra表示，新廠區將視市場需求調整資本支出及產能規劃，并應用先進3D NAND制程技術，進一步推
SK海力士公布新產品規劃：2030年推800+層堆疊NAND Flash，屆時SSD可達200TB
目前，兩大韓系NAND Flash廠商──三星及SK海力士已經公布了新NAND Flash產品的發展規劃。其中，三星宣布推出136層堆疊的第6代V-NAND Flash，SK海力士則是宣布成功開發出128層堆疊的4D NAND F