目前，兩大韓系NAND Flash廠商──三星及SK海力士已經公布了新NAND Flash產品的發展規劃。其中，三星宣布推出136層堆疊的第6代V-NAND Flash，SK海力士則是宣布成功開發出128層堆疊的4D NAND Flash，并已經進入量產階段。

不過，雖然兩家廠商競相推出NAND Flash的新產品，但是堆疊技術的發展至今仍未到達極限。所以，SK海力士日前在一場會議上就公布了公司的規劃，預計在2030年推出800+層的NAND Flash，屆時將可輕松打造出100到200TB容量的SSD。

在日前舉行的“Flash Memory Summit”大會上，SK海力士公布旗下新產品的規劃以及公司的相關布局。根據內容指出，目前SK海力士正在開發128層堆疊的4D NAND Flash，其量產時間將落在2019年第4季。

另外，SK海力士還展示了一款“PE8030”的全新SSD，采用PCIe 4.0×4介面連接，提供了800GB、1600GB、3200GB、6400GB容量，連續讀寫速度最高可達6200MB/s、3300MB/s，而4KB隨機讀寫最高可達950K IOPS、260K IOPS。

在研發發展方面，目前SK海力士正在研發176層NAND Flash，而其他產品的發展，包括72層堆疊的4D NAND Flash目前在大規模量產中，96層堆疊的4D NAND Flash目前也在大規模量產中，而且未來產能即將超越72層堆疊的4D NAND Flash。

128層堆疊的4D NAND Flash將于2019年第4季量產，176層堆疊產品2020年問世、500層堆疊產品則將于2025年問世，其TB/wafer容量比將可提升30%。而800+堆疊的4D NAND Flash則是預計2030年問世，TB/wafer容量比提升到100到200TB的大小。

據了解，目前SK海力士生產的128層堆疊NAND Flash核心容量是1Tbit，176層堆疊的核心容量則是來到1.38Tbit，預計500層堆疊時核心容量可達3.9Tbit，到800層堆疊時則會高達6.25Tbit，是現在的6倍多。

若以當前SSD固態硬盤的容量計算，目前最大容量約在15到16TB左右。而依照6倍核心容量的成長幅度來計算，未來SSD容量可達200TB左右，這個容量要比當前的HDD還要更大。