三星宣布推出HBM Flashbolt DRAM 2020年中投產
韓國存儲器大廠三星宣布,4日正式推出Flashbolt的HBM(高寬帶)DRAM。這是第3代HBM技術,未來將用于超級計算機、GPU和各種AI應用所需的高性能計算。三星先前發表上一代HBM Aquabolt DRAM后一
韓國存儲器大廠三星宣布,4日正式推出Flashbolt的HBM(高寬帶)DRAM。這是第3代HBM技術,未來將用于超級計算機、GPU和各種AI應用所需的高性能計算。三星先前發表上一代HBM Aquabolt DRAM后一
2月4日,康佳集團股份有限公司(以下簡稱 康佳集團 )披露,控股公司合肥康芯威存儲技術有限公司(以下簡稱 康芯威公司 )擁有自主知識產權的首款存儲主控芯片 KS6581A 已實現量產
盡管目前市場擔心武漢冠狀病毒疫情將影響今年首季行情,但業內人士認為存儲器價格漲勢仍然可期。咨詢機構集邦科技指出,盡管目前疫情正嚴重,位于中國境內的DRAM與NAND Flash存儲器
2月3日,大華股份公布,公司擬與關聯法人寧波華固企業管理合伙企業(有限合伙)( 寧波華固 )、寧波華淩投資管理合伙企業(有限合伙)( 寧波華淩 )共同出資人民幣5000萬元設立浙江大華存
針對武漢疫情對全球存儲器產業的影響,集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調查指出,位于中國境內的DRAM與NAND Flash工廠,目前沒有任何產線有部分或全面的停線,意即生產數量在短期