韓國存儲器廠商三星宣布，4日正式推出Flashbolt的HBM（高寬帶）DRAM。這是第3代HBM技術，未來將用于超級計算機、GPU和各種AI應用所需的高性能計算。

三星先前發表上一代HBM Aquabolt DRAM后一年內，于Nvidia 2019年GTC（GPU技術大會）首次宣布Flashbolt HBM DRAM，這項儲存技術預計用于AMD和Nvidia即將推出的高性能GPU。

三星第3代HBM技術，HBM2E Flashbolt DRAM可達到每針腳最高3.2Gbp/s的最大數據傳輸速度，較前一代最高2.4Gbps的最大數據傳輸速度提升33%。三星解釋，就是1秒內能傳輸82部高畫質影片。

另外，透過緩沖芯片頂部垂直堆棧的8層10奈米級（1y）16Gb DRAM，可達16GB最大容量。該HBM2E封裝是以40,000多個直通硅通孔（TSV）微型凸塊的精確排列互連，每個16Gb芯片均包含5,600多個此類微小孔。

三星指出，在超頻環境下，HBM2E Flashbolt DRAM可提供每針高達4.2Gb/s數據傳輸速率，和538GB/s的DRAM頻寬。三星表示，這些DRAM芯片將于2020上半年投產。目前除三星外，韓國另一家存儲器廠商SK Hynix也正在積極開發HBM2E的DRAM產品，預計也是2020年投產，使HBM2E DRAM產品市場競爭加劇。