存儲器
沖10納米制程 南亞科今年資本支出年增逾31%
DRAM廠南亞科昨(26)日召開董事會，通過今年資本支出預算案，以不超過92億元（新臺幣，下同）為上限，與去年資本支出相較之下，增幅達31.4%，其中包含10納米級制程研發、試產及20納米
芯動態|長鑫存儲官網上線DDR4內存芯片產品
繼2019年9月宣布量產8Gb DDR4后，長鑫存儲DDR4內存芯片產品日前已在官方網站上線，包括DDR4內存芯片、LPDDR4X內存芯片、DDR4模組等，并公布了具體產品資料。