半導體聯盟消息，繼2019年9月宣布量產8Gb DDR4后，長鑫存儲DDR4內存芯片產品日前已在官方網站上線，包括DDR4內存芯片、LPDDR4X內存芯片、DDR4模組等，并公布了具體產品資料。

據官網介紹，DDR4內存芯片是首顆國產DDR4內存芯片，是第四代雙倍速率同步動態隨機存儲器。相較于上一代DDR3內存芯片，DDR4內存芯片擁有更快的數據傳輸速率、更穩定的性能和更低的能耗。長鑫存儲自主研發的DDR4內存芯片滿足市場主流需求，可應用于PC、筆記本電腦、服務器、消費電子類產品等領域。

產品資料顯示，長鑫存儲DDR4內存芯片單顆容量8Gb，2666 Mbps速率，工作電壓1.2V，工作溫度0 °C ~ 95 °C ，78 - ball FBGA與96 - ball FBGA兩種封裝規格。長鑫存儲稱該產品特點包括高速數據傳輸、多領域應用支持、多產品組合、可靠性保障等。

LPDDR4X內存芯片為第四代超低功耗雙倍速率同步動態隨機存儲器, 采用了LVSTL的低功耗接口及多項降低功耗的設計。在高速傳輸上，LPDDR4X內存芯片相較于第三代有著更優越出色的低耗表現，服務于性能更高、功耗更低的移動設備。參數方面，長鑫存儲LPDDR4X內存芯片有2GB和4GB兩種容量，3733Mbps速率，工作電壓1.8V/1.1V/0.6V，工作溫度-30 °C ~ 85 °C，采用200ball FBGA封裝。

DDR4模組是第四代高速模組，相較于DDR3模組，性能和帶寬顯著提升，最高速率可達3200Mbps。長鑫存儲表示，DDR4模組由其自主開發設計、原廠內存顆粒，是目前內存市場主流產品，可服務于個人電腦和服務器等傳統市場，以及人工智能和物聯網等新興市場。參數方面，DDR4模組容量8GB，2666 Mbps速率，工作電壓1.2V，工作溫度0 °C ~ 95 °C，260-pin SODIMM、288-pin SODIMM兩種封裝規格。

官網信息顯示，長鑫存儲上述產品已接受技術咨詢和銷售咨詢。

2016年5月，總投資約1500億元的長鑫存儲內存芯片自主制造項目啟動建設，歷經3年多時間，2019年9月長鑫存儲正式宣布投產，與國際主流DRAM產品同步的10納米級第一代8Gb DDR4首度亮相，一期設計產能每月12萬片晶圓。

封面圖片來源：長鑫存儲官網