日本存儲芯片廠商鎧俠株式會社目前正在開始建設2個新的研發中心，分別是橫濱技術園區的旗艦大樓和Shin-Koyasu技術前沿大樓，此舉為了加強公司在閃存和SSD方面的研發能力。

展望未來，當前在神奈川縣的其他研發職能將搬遷到這些新的研發中心，以提高研究效率并促進技術創新的進一步發展。

隨著新旗艦大樓的加入，橫濱技術園區的規模將擴大近一倍，使鎧俠能夠擴展其在評估閃存和SSD產品方面的能力，從而提高整體產品開發和產品質量。旗艦大樓配備環保設施，還獲得了ZEB-Ready認證1，該認證授予通過提高能源效率將能耗降低50%或更多的建筑物。

新光安技術前沿將作為一系列半導體領域的基礎研究中心，包括新材料、工藝和設備。它擁有一個采用環保設計的潔凈室。

首席技術官Masaki Momodomi表示：“我們很高興鎧俠的新研發設施現已投入運營。自發明NAND閃存以來，鎧俠一直引領內存產品的創新超過35年。有了這兩個新設施，我們將進一步加快和深化我們的研發活動，提供支持未來數字社會的產品、服務和技術。

除了下一代內存技術外，鎧俠還從事各個領域的研發，包括面向以數據為中心的計算系統的系統技術以及人工智能等數字化轉型。它與日本和國外的大學、研究機構和公司一起促進開放式創新。

在“用'內存'提升世界”的使命下，它致力于制定舉措，以加強其閃存和SSD業務的競爭力。

橫濱技術園區旗艦館

位置：神奈川縣橫濱市榮區笠間2丁目

高度：6層

總建筑面積：約40，000米2

新興安技術前沿大樓

位置：神奈川縣橫濱市神奈川區森谷町三丁目

高度：4層

總建筑面積：約13，000米2

注：1 ZEB 代表 凈零能耗建筑。“ZEB-Ready”是日本建筑能效標簽系統指定的等級之一，用于認證提供舒適室內環境同時將標準一次能源消耗降低 50% 或更多的建筑物，不包括可再生能源。