近期，宏光半導體接連發布兩公告，向市場公布三大戰略合作。2022年3月24日，宏光半導體（06908.HK）發布公告，與GUH Holdings Berhad（3247.KL）訂立無法律約束力諒解備忘錄，有意在將公司快充電池及氮化鎵（GaN）器件產品銷售擴展至馬來西亞及東南亞，擴大收入來源。同時，與科通芯城集團(00400.HK)簽訂戰略合作協議，意在打通國內芯片銷售渠道。3月29日，公司再發公告稱全資附屬公司徐州金沙江半導體有限公司與GaN Systems Inc.(GaN Systems)于互聯網數據中心電力基礎設施成功進行首次公開GaN行業實地試驗，實現為數據中心節省最高20%的能源消耗的重大突破。

戰略布局動作接連不斷，不難看出宏光半導體的成長路徑有向精細化發展的趨勢。從布局的策略來看，主要體現在兩方面：一是大刀闊斧的打通國內外公司產品的銷售渠道，意為提升產品知名度，擴大收入來源。二是通過戰略投資控股及建立互利共贏的戰略合作關系，來獲得合作方在半導體上的專業技術支持及授權，從而間接提高公司產品自身的創新生產制造能力。近年來，全球市場對半導體生產的需求顯著增長，而中國作為全球最大的半導體市場，對半導體企業自主創新的要求只會愈加嚴格。在此發展態勢及環境中，宏光半導體看似精細化的布局又能否真正落地，實現延續公司的價值呢？

是“盲追風口”還是“行業黑馬”？

對宏光半導體以及GaN領域了解的應該知道，宏光半導體是在2021年初通過一筆“敲門磚”的收購，實現了對國內從事第三代半導體GaN芯片一體化生產能力的IDM供應商Fast Charging的全資控股，從此一腳踏入半導體行業。此后就是一系列的公司運作，從重金打造科學、研發、廠房及顧問團隊，再到近期的兩個合作公告。其間，不乏國內半導體領軍人物接連加盟入局，國際半導體產業協會首次頒發的終身成就獎的王寧國博士擔任公司非執行董事、中芯國際創始人兼原CEO張汝京擔任公司高級顧問。通過系列緊密的排兵布陣，宏光半導體在行業中名聲鵲起，意圖成為半導體行業的“新黑馬”。

進入21世紀來，國內第三代半導體發展形勢迅猛，像中芯國際、華虹半導體等提前入局的潛力公司，還有華峰測控、中環股份等深耕半導體多年的老龍頭企業。而宏光在去年才大步流星的踏入半導體領域，在未來行業風口不定的情況下，是否為最佳的入場時機，還有待考究。但就目前來看，宏光半導體的布局還是具有一定是前瞻性及成效的。以氮化鎵（GaN）以及碳化硅（SiC）技術為代表的領域在第三代半導體中處于剛起步的階段，但落地速度極快，是不少投資機構重點關注的領域。在國內5G和新能源的需求下，此番布局恰巧為宏光半導體向第三代半導體領域高速發展做了嫁衣。

加碼布局GaN產業鏈 節能減碳乘雙碳政策東風

據前瞻產業研究院預測，全球GaN元件市場規模預計2026年將增長到423億美元，年均復合增長率約為13.5%。雖然GaN還處于起步階段，但其高功率、輕體積的優勢將會逐步顯現，全球GaN市場規模與材料滲透率有望持續上升。結合近期宏光半導體與GUH、科通芯城的合作動向，通過打通國內外銷售渠道的同時，直接加碼在GaN產業鏈上的布局，能明顯看出其打算在GaN領域深度發展的決定。

在宏光半導體的公告中，我們還看到其全資附屬公司徐州金沙江半導體與GaN Systems在數據中心首次成功進行公開的GaN行業實地試驗，這次重大突破對宏光半導體來說意義非凡。早在2021年11月，宏光半導體就宣布向GaN技術的領導者GaN Systems Inc投資約2百萬美元，雙方匯集優勢成為全球策略合作伙伴。如今看來，這筆戰略投資合作可謂是“教科書”般的成功。在當前東數西算的背景下，及新一代信息技術的融合應用共同驅動下，社會對算力需求十分迫切。由此，我國對數據中心的政策規劃趨勢更加明確為平衡能耗與經濟貢獻。而此次宏光半導體公告中的重大技術突破，憑借GaN Systems的資源及知識，可在減少數據中心碳足跡的同時，節省最高20%的能源消耗。這場試驗也是推進該技術邁向全球使用的重要一環，標志著GaN在IDC電源基礎設施中的廣泛應用。更為重要的是，此項技術對于國家“碳達峰”與“碳中和”的目標具有重要意義。如今乘上政策東風的宏光半導體，直接促成向第三代半導體的轉型發展，或許能為國內GaN產業鏈上的企業增質提效。

回到資本市場，近一個月來半導體領域眾多企業的密集發力資本市場，同光股份、江蘇富樂華半導體、深圳得一微等半導體企業接連宣布開啟IPO計劃。晶圓代工廠商華虹半導體擬回A上市的消息更是引發了業界高度關注。國內半導體行業快速發展的同時也帶來了激烈的市場競爭，宏光半導體在此情況下能否闖出一番天地，還需交給時間來驗證。不過，對于宏光半導體在GaN領域的提前布局。不少行業人士表示，GaN是第三代半導體中起步晚、發展極快的領域，越早踏入相關領域的企業，越能積攢下足夠的發展潛力，未來有望在順利第三代半導體時代高速發展。