半導體聯盟消息，2020年6月20日，由長江存儲實施的國家存儲器基地項目二期（土建）在武漢東湖高新區開工。

長江存儲國家存儲器基地項目由紫光集團、國家集成電路基金、湖北省科投集團和湖北省集成電路基金共同投資建設，計劃分兩期建設3D NAND閃存芯片工廠。項目一期于2016年底開工建設，進展順利，32層、64層存儲芯片產品已實現穩定量產，并成功研制出全球首款128層QLC三維閃存芯片。

湖北省委副書記、省長王曉東表示，國家存儲器基地項目二期開工，是落實中央支持湖北一攬子政策的具體行動，也是強化湖北疫后重振重大項目支撐的有力舉措，必將加快形成湖北創新發展的“產業航母”，為拓展壯大“光芯屏端網”產業鏈注入強勁動力。湖北雖然遭受疫情前所未有的沖擊，但經濟長期向好的基本面沒有改變，多年積累的綜合優勢沒有改變，在國家和區域發展中的重要地位沒有改變。項目此時開工，彰顯了投資方的遠見卓識和對湖北發展的堅定信心。湖北、武漢各級各部門將全力以赴為項目創造最好條件、提供最好服務，有呼必應、無事不擾，在項目推進、要素保障、配套服務等方面當好貼心“店小二”，把項目打造成湖北高質量發展的樣板工程、標桿工程，展現湖北一流的營商環境，匯聚更強的發展預期和信心。

在開工儀式上，紫光集團、長江存儲董事長趙偉國表示，國家存儲器基地項目一期開工建設以來，從一片荒蕪之地變成了一座世界領先的存儲器芯片工廠，實現了技術水平從跟跑到并跑的跨越。雄關漫道真如鐵，而今邁步從頭越。我們要增強責任感、緊迫感，知難而進、迎難而上，為集成電路產業發展、為湖北經濟社會高質量發展作出新的更大貢獻。

封面圖片來源：長江存儲官網