16日消息，重慶郵電大學光電工程學院副教授黃義介紹，目前實驗室已成功研發第三代半導體氮化鎵功率芯片，主要應用在汽車電子、消費電源、數據中心等方面。電量能節省10%以上，面積是硅芯片的1/5左右，開關速度提升10倍以上。目前該項目已經到了試驗性應用階段，未來有望在各種電源節能領域和大數據中心使用。

重慶郵電大學校長高新波此前表示，重郵在第三代半導體技術方面取得了系列突破和豐富成果。重郵已聯合成都電子科大、西安電子科大、北京理工大學等院校，大力推進西部(重慶)科學城行動計劃重大項目，全力建設“重慶市集成電路設計創新孵化中心”。

目前，該孵化中心已入駐西部(重慶)科學城。該中心將著力建設集成電路公共設計、測試分析、半導體工藝等為一體集成電路中試平臺，提供低成本、高效率的集成電路公共服務與專業技術支持。