近日，備受關注的長沙三安第三代半導體項目再次迎來新的進展。

9月28日，湖南三安半導體產業園項目C2綜合動力站單體完成封頂。9月29日，最后一塊華夫板澆筑完畢。

據紅網報道，C2綜合動力站建筑面積約10000平方米，是廠區的心臟，主要包括熱水系統，冷卻水系統、壓縮空氣系統、發電系統等，而最后一塊華夫板澆筑完畢意味著該產業園最大單體M2B碳化硅芯片生產廠房全面進入主體施工收尾階段，這也標志著公司在華夫板澆筑領域的首次施工圓滿落下帷幕。

湖南三安半導體產業園項目為國內第一條、世界第三條碳化硅全產業鏈產線，項目產品為高質量、低成本、高穩定性的碳化硅襯底及各類器件，可廣泛用于新能源汽車、5G、智能電網、高速軌道交通、半導體照明、消費類電子、航天等領域。

“M2B碳化硅芯片廠房是該項目一標段30個單體中建筑面積最大、潔凈等級要求最高的廠房。”項目負責人周祥介紹，其按照“百級潔凈度”標準建設，堪比最高潔凈等級的手術室內部空氣潔凈標準。

該項目建成達產后，將形成超100億的產業規模，帶動上下游配套產業產值預計超1000億，創造近10000個就業崗位。憑借項目完整的碳化硅產業鏈布局和強大的制造平臺，將促成湖南、長沙成為全球碳化硅、氮化鎵市場高地，達到化合物半導體領域的領先地位。

根據此前的資料，長沙三安第三代半導體項目是長沙17個制造業標志性重點項目之一，總投資160億元，總占地面積1000畝，主要建設具有自主知識產權的襯底(碳化硅)、外延、芯片及封裝產業生產基地。

封面圖片來源：拍信網