萬萬想不到，暑期最后一批購買熱會出現(xiàn)在5G手機(jī)上，“中國5G雙劍”中興、華為第一批5G手機(jī)已經(jīng)上市，一波波預(yù)售搶購標(biāo)志著5G開始走進(jìn)大眾生活。

雖然5G網(wǎng)絡(luò)還未全面鋪開，但部分已使用5G的小伙伴表示下載速度真的很快，俗話說好馬配好鞍，5G不單單是通信網(wǎng)絡(luò)迎來5G時代，在手機(jī)性能與配置上同樣也是質(zhì)的提升。在5G通信技術(shù)、像素提高與CPU處理器高速運行的三重夾擊下，大容量的高階存儲器將會是剛需，宏旺半導(dǎo)體ICMAX應(yīng)對5G的到來提供幾種應(yīng)對解決方案。

LPDDR5是發(fā)展“芯”趨勢

市面上熱銷的5G手機(jī)無一不是大容量高配置，在內(nèi)存方面已經(jīng)達(dá)到 6GB+128GB、8GB+256GB、12GB+256GB。在手機(jī)RAM方面現(xiàn)在的旗艦機(jī)大部分使用的是LPDDR4，高階會使用到LPDDR4X，等5G真正普及，6GB的RAM將不會滿足所需。在內(nèi)存方面今年2月份JEDEC正式發(fā)布了JESD209-5標(biāo)準(zhǔn)即LPDDR5的標(biāo)準(zhǔn)，有望達(dá)到6400MT/s的速率，LPDDR5是目前在RAM上最新的標(biāo)準(zhǔn)，宏旺半導(dǎo)體 LPDDR5 內(nèi)存芯片將在2020進(jìn)入量產(chǎn)階段，以更好地應(yīng)對5G時代的到來。

5G時代的標(biāo)配UFS3.0

5G通信技術(shù)不單單是對手機(jī)會帶來革命性的改變，也會滲透到日常生活的方方面面，比如醫(yī)療設(shè)備可以跟蹤佩戴者的血糖水平，并將它們傳輸?shù)街悄茉O(shè)備，如手機(jī)、平板電腦或手表，然后，這些設(shè)備可以監(jiān)測血糖的峰值和下降，并相應(yīng)地使用藥物。實現(xiàn)上述醫(yī)療功能對設(shè)備的存儲需要將會越來越高，5G網(wǎng)絡(luò)商業(yè)化試運營時，10Gbps起步下行速率對應(yīng)的下載速度就將達(dá)到1.25GB/s，時代在呼喚容量更大讀寫更快速的存儲器到來。

5G時代對設(shè)備提出更高要求，現(xiàn)在手機(jī)等智能設(shè)備閃存有些依舊使用的eMMC5.1，高端旗艦手機(jī)會運用到UFS2.1，而5G通訊技術(shù)的普及將會加速UFS3.0的量產(chǎn)，全新的UFS3.0將成為5G設(shè)備標(biāo)配。閃存對實際操作中的影響表現(xiàn)在多方面，如安裝超過GB大小的app、錄制生成4K視頻、拍照連拍、相冊中大量圖片的預(yù)覽圖刷新，在這些應(yīng)用環(huán)境下，只有更高速的閃存才能告別卡頓和延遲，縮短app的安裝和啟動時間。

UFS3.0標(biāo)準(zhǔn)早在2018年初就已發(fā)布，單通道帶寬提升到11.6Gbps，搭配雙通道的理論傳輸速度最快可達(dá) 2.9GB/s，是現(xiàn)有UFS 2.1性能的2倍，市場上UFS3.0還未普及，UFS 3.0 的功耗也變得更低。5G的到來將加速新一波硬件的更新?lián)Q代,ICMAX在UFS開發(fā)研究上投入眾多精力，在新一輪的5G改革浪潮中，將發(fā)揮多年積累的行業(yè)經(jīng)驗，加大對研發(fā)的投入與產(chǎn)出，實現(xiàn)超車。

從eMCP到uMCP的跳躍

uMCP是結(jié)合了UFS和LPDDR封裝而成的智能手機(jī)存儲標(biāo)準(zhǔn)，與eMCP相比，uMCP在性能上更為突出，提供了更高的性能和功率節(jié)省，都是為了讓智能手機(jī)的外型厚度更薄，更省空間。

結(jié)合了UFS2.1與LPDDR4X的宏旺半導(dǎo)體ICMAX uMCP，比雙芯片移動解決方案使用少40%的空間，減少了內(nèi)存占用，并支持更靈活的系統(tǒng)設(shè)計，64GB+32Gb、128GB+32Gb容量可供選擇，使用先進(jìn)的封裝技術(shù)，將移動DRAM堆疊在管理的NAND之上，適合較小的智能手機(jī)設(shè)計的高密度、低功耗存儲解決方案，應(yīng)對智能設(shè)備對高速、大容量的存儲要求。

5G浪潮的到來，對于全球所有科技公司來說既是機(jī)遇也是挑戰(zhàn)，智能家居呈碎片化形態(tài)，很多設(shè)備都想成為智能家居各種設(shè)備的入口，但只有一樣?xùn)|西是真正的萬能鑰匙，那就是芯片，5G時代是下一個風(fēng)口，ICMAX順勢起航。

圖片聲明：封面圖片來源于宏旺半導(dǎo)體