9月19日，2019年第三屆“中歐第三代半導體高峰論壇”在深圳五洲賓館舉行。來自中國和歐洲的專家學者、企業高管、投資精英等近200名代表參會，圍繞第三代半導體技術創新、產業發展、國際合作進行深入探討與交流，加速第三代半導體材料國產化替代進程，助力國產半導體開辟一片新天地。

深圳市科學技術協會黨組書記林祥、深圳市坪山區科技創新局局長黃鳴出席論壇并致辭。深圳第三代半導體研究院副院長張國旗、南方科技大學深港微電子學院執行院長于洪宇、國家新能源汽車技術創新中心車規半導體業務負責人文宇、英國劍橋大學工程系教授Patrick Palmer、深圳基本半導體有限公司總經理和巍巍等嘉賓圍繞第三代半導體材料器件的技術創新、產品應用和機遇挑戰，開展前沿技術分享及精彩主題演講。

在論壇上，提到中國第三代半導體的發展，深圳基本半導體總經理和巍巍表示，國內第三代半導體碳化硅發展一直緊跟世界前沿，但在汽車設計和制造方面，和國際的先進水平還有一定的差距。目前，國內有幾所大學可以制造器件樣品，有部分公司可以量產二極管，但僅有基本半導體可量產碳化硅MOSFET，基本半導體未來將繼續加大研發投入，加強技術創新，致力于鑄造第三代半導體碳化硅的中國“芯”。

據了解，基本半導體由清華大學、浙江大學、劍橋大學、瑞典皇家理工學院等國內外知名高校博士團隊創立，專注于碳化硅功率器件的研發與產業化，旗下碳化硅器件產業鏈覆蓋了外延制備、芯片設計、制造工藝、封裝測試、驅動應用等環節。基本半導體已先后推出全電流電壓等級碳化硅二極管、通過工業級可靠性測試的1200V碳化硅MOSFET，以及車規級全碳化硅功率模塊等系列產品，性能達到國際先進水平。

除主旨演講外，現場還舉行了“中國第三代半導體的突破之路”為主題的高端圓桌對話。力合科創集團、北京億華通科技股份有限公司等幾家優秀的半導體企業代表，從企業自身的發展經歷出發，共同探討我國第三代半導體實現突破的途徑。

專家認為，第三代半導體未來應用潛力巨大，具備變革性的突破力量，是半導體以及下游的電力電子、通信等行業新一輪變革的突破口。2018年，美國、歐盟等持續加大第三代半導體領域的研發支持力度，國際廠商積極、務實推進，商業化的碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）電力電子器件新品不斷推出，性能日益提升，應用逐漸廣泛。國內受益于整個半導體行業宏觀政策利好、資本市場追捧、地方積極推進、企業廣泛進入等因素，第三代半導體產業穩步發展。但在材料指標、器件性能等方面與國外先進水平仍存在一定差距，市場繼續被國際巨頭占據，國產化需求迫切。

本屆高峰論壇由深圳市科學技術協會、深圳市坪山區人民政府、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟指導，深圳青銅劍科技股份有限公司、深圳第三代半導體研究院、南方科技大學深港微電子學院主辦，深圳基本半導體有限公司、深圳中歐創新中心聯合承辦。