半導體材料是制作半導體器件和集成電路的電子材料，是半導體工業的基礎。利用半導體材料制作的各種各樣的半導體器件和集成電路，促進了現代信息社會的飛速發展。

第一代的半導體材料：硅、鍺，第二代半導體材料：砷化鎵、磷化銦，第三代半導體材料：氮化鎵、碳化硅，第四代半導體材料：氧化鎵(Ga2O3)。

砷化鎵（gallium arsenide），化學式 GaAs。黑灰色固體，熔點1238℃。它在600℃以下，能在空氣中穩定存在，并且不被非氧化性的酸侵蝕。

砷化鎵是一種重要的半導體材料。

屬Ⅲ－Ⅴ族化合物半導體。

屬閃鋅礦型晶格結構，晶格常數5.65×10-10m，熔點1237℃，禁帶寬度1.4電子伏。

砷化鎵于1964年進入實用階段，也被稱為是第二代半導體材料。

砷化鎵可以制成電阻率比硅、鍺高3個數量級以上的半絕緣高阻材料,用來制作集成電路襯底、紅外探測器、γ光子探測器等。由于其電子遷移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速數字電路方面得到重要應用。用砷化鎵制成的半導體器件具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強等優點。此外，還可以用于制作轉移器件──體效應器件。