SK海力士目前在高帶寬存儲器（HBM）領域占據主導地位。然而，三星電子正著眼于下一個競爭前沿——新一代內存技術 Compute Express Link （CXL）。最近，三星申請了多個與CXL產品相關的商標，引起了各行各業的關注。

據《韓國先驅報》援引業內人士的話報道，三星近期的商標申請包括三星CMM-D、三星CMM-DC、三星CMM-H和三星CMM-HC。這些產品專為內存、芯片、數據存儲設備等而設計。在內部，三星將 CXL 稱為 CMM（CXL 內存模塊）。

CXL 是用于擴展數據傳輸路徑的下一代接口。雖然 CXL 和 HBM 都是高性能內存技術，但它們的用途不同。HBM 垂直連接多個 DRAM，與傳統 DRAM 相比，顯著提高了數據處理速度。在現有的DRAM領域，基于DDR的DRAM由于服務器結構的限制，在擴展傳輸帶寬和容量方面面臨限制。

CXL DRAM 利用處理器內存互連共享技術，可以提高主 DRAM 的傳輸帶寬和容量。此外，它可以以更低的成本提高服務器的主內存容量和性能。例如，利用大容量 CXL DRAM 可以將每臺服務器的內存容量增加 8-10 倍。HBM 和 CXL 有望相輔相成，CXL 被認為是內存行業新的競爭舞臺。

近年來，三星積極追求 CXL 技術開發。2021年5月，公司率先開發基于CXL的DRAM技術。2023 年 5 月，三星完成了 CXL 2.0 開發，計劃從 2023 年第四季度開始量產 CXL 2.0 DRAM。

SK海力士還深入研究CXL技術，在2023年9月展示了CXL 2.0產品，落后三星約四個月。SK海力士計劃在2023年底前開始量產CXL 2.0產品。

展望未來，值得注意的進展包括英特爾計劃在 2024 年上半年推出支持 CXL 2.0 的“Sierra Forest”服務器 CPU。此舉可能與 ChatGPT 等對話式 AI 對 HBM 市場普及的貢獻相提并論，從而可能擴大 CXL 市場。