國電南瑞擬與聯研院合資設立功率半導體公司,主攻IGBT
合作有利于公司降低IGBT等功率器件技術研發及產品批量化生產的風險,保障中低壓、加快高壓IGBT等功率半導體芯片及模塊研制和產業化進程。
合作有利于公司降低IGBT等功率器件技術研發及產品批量化生產的風險,保障中低壓、加快高壓IGBT等功率半導體芯片及模塊研制和產業化進程。
據合肥高新區報道,近日,合肥中恒微半導體有限公司(以下簡稱 中恒微半導體 )首期投產儀式在高新區明珠產業園舉行。圖片來源:合肥高新股份該項目規劃分為兩期建設,一期產能
1、「DRAMeXchange-全球半導體觀察」包含的內容和信息是根據公開資料分析和演釋,該公開資料,屬可靠之來源搜集,但這些分析和信息并未經獨立核實。本網站有權但無此義務,改善或更
近年來,隨著行業景氣度向好和政策的推動,中國IGBT產業出現快速成長,多家廠商擴建或新建產線,同時亦有不少新進入者搶奪市場。據集邦咨詢分析,目前市場新入者主要有三類,一
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,具有高頻率、高電壓、大電流、易于