三星官宣：完成5納米EUV工藝研發，將向客戶提供樣品 4月16日，三星官網發布新聞稿，宣布已經完成5納米FinFET工藝技術開發，現已準備好向客戶提供樣品。與7納米工藝相比，三星的5納米FinFET工藝技術提供了高達25%的邏輯面積效率提升。同 5納米 EUV 三星 2019-04-16
EUV光刻機研發挑戰仍存，本土企業如何突破技術成本關? 光刻是芯片制造技術的主要環節之一。目前主流的芯片制造是基于193nm光刻機進行的。但是193nm的光刻技術依然無法支撐40nm以下的工藝生產，為了突破工藝極限，廠商不得不將193nm液浸技 IC設計 光刻機 EUV 2019-04-03
