大突破！科美存儲發(fā)布首款100%國產(chǎn)DDR5 RDIMM內(nèi)存條
該產(chǎn)品從芯片、封裝到適配全鏈路實現(xiàn)自主可控，并通過?防硫化設(shè)計、30μ鍍金工藝?等技術(shù)創(chuàng)新，填補了國產(chǎn)服務(wù)器內(nèi)存模塊在極端環(huán)境適配能力的空白。
DDR5
三星開發(fā)出業(yè)界首款12納米級DDR5 DRAM內(nèi)存
三星16Gb DDR5 DRAM，采用新型高介電常數(shù)材料來增加單元容量，并采用獨特的設(shè)計技術(shù)來改善電路板的關(guān)鍵電路特性。它提供了業(yè)界最高的管芯密度，并將每片晶圓的生產(chǎn)率提高了 20%。
