【泰克先進(jìn)半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室】遠(yuǎn)山半導(dǎo)體發(fā)布新一代高壓氮化鎵功率器件
這次提供的氮化鎵功率器件在高電壓大電流條件下的良好表現(xiàn),打破了傳統(tǒng)氮化鎵器件額定電壓650V的限制。
這次提供的氮化鎵功率器件在高電壓大電流條件下的良好表現(xiàn),打破了傳統(tǒng)氮化鎵器件額定電壓650V的限制。
該企業(yè)在高性能氮化鎵半導(dǎo)體激光器芯片方面取得重大技術(shù)突破,同時(shí)氮化鎵半導(dǎo)體激光器芯片產(chǎn)線順利完成通線試產(chǎn)。
隨著下游市場需求爆發(fā),第三代半導(dǎo)體逐漸駛進(jìn)黃金賽道,譽(yù)鴻錦半導(dǎo)體入場GaN賽道便帶著一份令人驚嘆的成績單。
氮化鎵領(lǐng)先廠商晶通半導(dǎo)體(JTM)宣布,已于去年12月完成數(shù)千萬元人民幣天使+輪融資
遠(yuǎn)早于預(yù)期時(shí)間表成功制造外延片為集團(tuán)快速產(chǎn)業(yè)化及量產(chǎn)第三代半導(dǎo)體鋪路,乃其轉(zhuǎn)型成為第三代半導(dǎo)體GaN 供應(yīng)商的重要成果,標(biāo)志著集團(tuán)邁向第三代半導(dǎo)體GaN商業(yè)化的里程碑。