嘉合勁威正在積極布局導(dǎo)入DDR5內(nèi)存新技術(shù)，2021年將在深圳坪山率先實(shí)現(xiàn)DDR5內(nèi)存量產(chǎn)。

新一代的內(nèi)存DDR5，一個(gè)DIMM，兩個(gè)通道，將具備更快的速度，有望達(dá)到，4.8Gbps的速度，比DDR4的3.2Gbps最大速度快約50％；決策反饋均衡化，使得它可以獲得更快的總線服務(wù)；更高的存儲(chǔ)密度，單個(gè)存儲(chǔ)芯片達(dá)到64Gb的密度，比DDR4的最大16Gbit密度高出4倍，單根內(nèi)存最大可實(shí)現(xiàn)128GB容量。

嘉合勁威目前正在積極與芯片廠商溝通，導(dǎo)入和研發(fā)新一代的內(nèi)存技術(shù)，以及籌備配置DDR5生產(chǎn)線，有望在2021 Q2推出單根16G容量的DDR5內(nèi)存條。