隨著臺積電不斷推進7納米、5納米、3納米等先進工藝，業界對其的關注度不斷提升。8月26日2020世界半導體大會期間，臺積電（南京）有限公司總經理羅鎮球介紹了該公司在先進工藝以及3D封裝等技術上的規劃布局。

羅鎮球表示，臺積電在7納米節點進行了3個細分節點劃分，包括7納米、7納米的強化版N7+和6納米。在這個節點上，臺積電的芯片產量非常大，到目前為止已經生產了超過10億顆芯片，應用領域包括CPU、GPU、通訊芯片以及AI。

目前，臺積電的5納米現在已經進入量產階段。臺積電仍然會采用小步快走的研發模式，在功耗上、性能上、面積上持續不斷做提升。5納米節點也將規劃3個細分節點，包括5納米、5納米的強化版N5+和4納米。根據羅鎮球的介紹，從5納米生產的情況來看，它的良率推進遠遠好于三年前的7納米。4納米預計在2021年開始正式批量生產。

隨著工藝的持續推進，業界有人擔心摩爾定律會不會繼續往下走？羅鎮球表示，我們到目前為止看到3納米，看到2納米，看到1納米都沒有什么太大問題。臺積電在3納米開出性能上可以再提升10-15%，功耗可以再降低25-30%。預計明年可以看到3納米的產品在2022年進入大批量生產。

在先進封裝方面，羅鎮球認為，先進封裝是使摩爾定律持續演進的主要助力。臺積電將3D封裝分成前段3D封裝和后段3D封裝。前段3D封裝采用SoIC技術，包括CoW即Chip on Wafer封裝方式和WoW即Wafer on Wafer的封裝方式進行；后段3D封裝采用InFO封裝和CoWoS封裝技術，將不同功能的芯片整合到一個系統級的產品當中。這是非常有效而且成本更低的方式。