臺積電先進制程的部分，目前5納米準備積極進入量產，3納米也將在2022年迎來投產的關鍵時刻，而更先進的2納米制程也傳出取得重大進展。市場估計，臺積電2納米預計在2023~2024年量產的情況下，預計將能進一步鞏固全球晶圓代工龍頭的地位。

根據《經濟日報》的報導，臺積電在考慮成本及良率的因素下，3納米制程延用鰭式場效電晶體（FinFET）技術，并取得全球的領導地位之后，更先進的2納米制程預計將切入環繞閘極（GAA）技術，正式進入另一個全新的制程技術領域，而且預料在接下來的年度技術論壇中，臺積電將會公布這項成果。

不過，臺積電對此并未做任何評論。

報導指出，雖然臺積電自2019年公布，將以數百人的研發團隊正式投入2納米的技術研發以來，至今沒有公布2納米制程節點將會選擇沿用FinFET技術，或者是改用GAA技術。不過，根據相關供應鏈表示，因為FinFET技術將自3納米以下會面臨技術瓶頸，因此臺積電才會在2納米選擇采用GAA的技術。

另外，因為競爭對手三星已經宣布自3納米的制程節點開始，就采用GAA的技術，臺積電的時程顯然落后三星，不過市場人士指出，就之前臺積電也較三星晚采用極紫外光刻設備，但在制程良率上仍領先三星的情況下，臺積電采取穩扎穩打的務實性做法，于2納米才采用GAA技術而落三星一個世代，預計還是能持續維持其優勢的地位。

報導進一步指出，這次臺積電能在2納米制程節點上有所突破，歸功于臺積電挽留了3年前即要退休的臺積電最資深副總經理羅唯仁。他帶領的團隊為制程技術研發進行了突破，才有了當前的成果。為此，羅唯仁還為團隊舉行了慶功宴，以感謝團隊的辛勞。

而根據日前臺積電的公告，預計2021年動工，將于美國亞利桑那州設置的12寸廠將以5納米制程為主，并將于2024年投產，月產能達到2萬片的產能。而這時間點對照目前臺積電先進制程的發展計劃，屆時臺積電在中國臺灣地區已經進入2納米投產階段，使得整體美國廠的完工，屆時將對臺積電在臺灣的先進制程訂單不會有所影響。

此外，日前也外傳，競爭對手三星也宣布將放棄4納米的制程，直接投入3納米制程與臺積電面對面競爭。市場人士也表示，若臺積電一旦真在2023年到2024年間量產GAA技術的2納米制程，則三星想在3納米制程彎道超車的狀況，將會難上加難。