半導體聯盟新聞，近日，湖北省科技廳發布2020年度省級科技重大專項申報指南，正式啟動科技重大專項申報工作。

據長江日報報道，此次申報工作確定首批啟動先進存儲器、光通信與5G網絡、測繪遙感大數據高效處理與智能分析、激光精密制造、智能網聯汽車、智能建造、湖北中藥質控標準物質研究和新一代人工智能8個專項，擬資助金額8000萬元，專項實施周期為三年，項目實施預計可突破高密度低功耗三維堆疊代碼型閃存器件生產等重大關鍵技術30項。

其中，先進存儲器科技重大專項重點圍繞5G+AI+云生態系統下的可穿戴式設備和智能家電產品對大存儲容量和高存儲密度代碼型閃存（NOR Flash）提出的迫切需求開展技術攻關、產品研制、應用示范，專項實施使湖北省三維堆疊代碼型閃存生產關鍵技術和產品達到國際領先水平，形成一批具有湖北特色、引領國內技術發展的先進技術成果，為實現湖北省集成電路產業的高速發展提供科技支撐。

根據消息稱，該重大專項擬安排專項資金1000萬元。在三維堆疊代碼型閃存的器件建模、芯片設計和工藝開發、可靠性和失效分析、高速緩存應用4個技術方向，設置4個課題。

其中，三維代碼型閃存器件建模及性能優化研究課題的內容為面向代碼型閃存（NOR Flash）芯片大存儲容量和高存儲密度的迫切需求，開發提高浮柵晶體管性能的超臨界處理方法；研究存儲單元性能衰減的再恢復和再生方法；開展三維代碼型閃存芯片的熱管理建模研究；開展基于仿真的浮柵晶體管新材料新結構的研究。

三維堆疊代碼型閃存芯片設計及工藝制造技術課題的內容為面向新興電子產品對大存儲容量和高存儲密度代碼型閃存（NOR Flash）芯片提出的迫切需求，研究基于三維特種工藝的代碼型閃存芯片的設計技術，研究基于三維架構的代碼型閃存半導體制造工藝技術，實現超越傳統二維代碼型閃存產品的業界最小的芯片面積和最高存儲密度。

三維堆疊代碼型閃存的可靠性及失效分析研究課題的內容為針對三維堆疊代碼型閃存（NOR Flash）由于特殊設計和工藝帶來的不同于平面器件的讀寫等其他電學操作特性，搭建三維堆疊代碼型閃存測試系統，開發相應測試方案；對失效三維代碼閃存芯片開展其失效分析工作，確定不同工作環境下失效模型和失效機理，提出三維堆疊代碼型閃存提升可靠性的解決方案。

高密度非易失存儲與圖像傳感一體化芯片研制課題的內容為面向生物醫療和人工智能時代的高像素新型圖像傳感中信息高速非易失緩存的需求，研究圖像傳感器的垂直電荷轉移及其存儲機制，將浮柵式閃存與圖像傳感相結合，開發新架構、工藝流程和應用芯片產品，實現存儲與圖像傳感一體化，打破傳統圖像傳感器緩存的“存儲墻”難題，實現超小型像素尺寸和即時非易失緩存的技術突破。