半導體聯盟消息，鎧俠株式會社(Kioxia Corporation)近日宣布，該公司已成功開發具有112層垂直堆疊結構的第五代BiCS FLASH™三維(3D)閃存。鎧俠計劃開始在2020年第一季度為特定應用提供樣品，新產品具有512 Gb（64千兆字節）容量并采用TLC（每單元3位數據）技術*1。

這款新產品旨在滿足對各種應用不斷增長的位需求，包括傳統移動設備、消費類和企業類固態硬盤(SSD)、新的5G網絡支持的新興應用、人工智能和自動駕駛車輛。

展望未來，鎧俠將其新的第五代工藝技術應用于更大容量的閃存產品，例如1 Tb（128千兆字節）TLC和1.33 Tb QLC（每單元4位數據）產品。

鎧俠創新的112層堆疊工藝技術與先進的電路和制造工藝技術相結合，與96層堆疊工藝相比，將存儲單元陣列密度提高約20%。因此，每片硅晶圓可以制造的存儲容量更高，從而也降低了每位的成本（Bit-cost）。此外，它將接口速度提高50%，并提供更高的寫性能和更短的讀取延遲。

自2007率先發布采用3D堆疊結構的閃存以來*2，鎧俠一直在推進3D閃存的開發，并積極推廣BiCS FLASH™，以滿足對更小芯片尺寸和更大容量的需求。

第五代BiCS FLASH™是與技術和制造合作伙伴西部數據公司(Western Digital Corporation)共同開發的。它將在鎧俠的四日市工廠和新建的北上工廠生產。

注：

1. 并非所有功能都已經過測試，且設備特性將來可能變更。

2. 來源：鎧俠株式會社，截至2007年6月12日。

* 本文提及的所有其他公司名稱、產品名稱和服務名稱可能是其各自公司的商標。