半導體聯盟消息，據韓媒《Business Korea》報導，韓國科技大廠SK海力士已克服了下一代存儲器量產的障礙之一，全球電子設計自動化龍頭美商新思科技在近期宣布，將向SK海力士供應系統單芯片(SoC)技術方案，以協助該公司量產高頻寬存儲器HBM2E。

該SoC方案符合基于臺積電7納米制程JEDEC的HBM2E SDRAM標準，并具有409 GB/秒的數據率，可以在一秒鐘內處理110部全高清電影(每部電影3.7 GB)。

SK海力士的HBM2E存儲器芯片可以同時從數千個孔洞向數據發送功率，與目前的技術相比，可以減少30%以上的芯片尺寸并減少50%以上的功耗。HBM芯片可以整合到SoC，與邏輯芯片(例如GPU)相距僅數十微米。因此，相較于在主機板上與SoC并行安裝，可以進一步縮短數據傳輸距離，實現更快的數據傳輸。

不過，HBM2E DRAM價錢是當前的兩到三倍，且尺寸大于LPDDR4芯片。因此，市場并不大，僅用于要求超高性能的地方，例如IDC或超級電腦等大型數據中心。

但是，隨著5G移動通信、人工智能(AI)、自動駕駛和物聯網(IoT)的出現，對高性能服務器的需求持續成長，市場前景樂觀。

SK海力士在2013年首次推出HBM芯片，三星電子也隨即投入了HBM芯片的開發，從而引發了兩家公司的激烈競爭。針對新一代HBM2E芯片而言，三星電子于今年初首次開始量產，SK海力士是于2019年8月推出，但尚未正式開始量產。