半導體聯盟消息，3月10日，三星（中國）半導體有限公司舉行三星高端存儲芯片二期第一階段項目產品下線上市儀式。
資料顯示，三星高端存儲芯片二期項目總投資150億美元，主要制造閃存芯片，分兩個階段進行，其中第一階段項目總投資70億美元，預計2020年3月竣工投產；第二階段投資80億美元已于去年年底啟動建設，預計2021年上半年實現量產。
據西安發布指出，三星高端存儲芯片二期第一階段項目目前已經具備量產能力，預計今年8月實現滿產。此次下線上市的是三星高端存儲芯片二期第一階段項目的首批產品，代表了世界最尖端制造技術的存儲芯片新產品。
根據此前的消息指出，三星高端存儲芯片二期項目建成后將新增產能每月13萬片，新增產值300億元，解決上千人就業，并帶動一批配套電子信息企業落戶，使西安成為全球水平最高、規模最大的閃存芯片制造基地。
新華網近日報道，三星半導體存儲芯片一期項目一、二月份實現滿產生產，而二期項目第二階段爭取按原定計劃在8月底完成內部裝修工程。
封面圖片來源：視頻截圖
