半導體聯盟消息，智能手機的運算能力越來越高，下載速度也越來越快，儲存芯片的讀寫速度亦需要配合，才能發揮每個環節的最高效能。日前三星（Samsung）就宣布開始大規模投產512GB的eUFS 3.1儲存芯片，它的特點就是其讀寫速度較上一代更快。

三星表示512GB的eUFS 3.1儲存芯片，連續寫入速度將超過1,200MB/s，比起現在相同容量eUFS 3.0儲存芯片的400MB/s，速度快達3倍。

同時512GB eUFS 3.1儲存芯片的隨機讀寫表現為100,000/70,000 IOPS，亦較eUFS 3.0的產品快60%。三星指新儲存芯片只需90秒就能完成100GB的檔案傳輸，舊款要4分鐘以上，特別適合用于儲存8K高分辨率影片。

有消息指三星可能會將512GB的eUFS 3.1儲存芯片，率先應用于下半年的旗艦手機Galaxy Note 20系列；之后三星還會陸續生產和供應128GB和256GB的eUFS 3.1儲存芯片。