半導體世界編譯消息，近日，英國蘭開斯特大學研究人員宣布，他們和西班牙同行合作開發出一種新型數據存儲設備，兼具當前內存和閃存兩類設備的優點，并且能耗超低。

這所大學發布新聞公報說，新設備屬于通用型存儲器，既可充當供隨時讀寫的活動內存，也能穩定長期保存數據。它有助節約能源，緩解“數字技術能源危機”，還可改善電子設備使用體驗，比如電腦可以幾秒鐘內完成啟動。

當前用作內存的動態隨機存取存儲器（DRAM）讀寫速度快，但有易失性，即突然斷電后內容就會消失，即使不斷電也必須每隔幾十毫秒就刷新一次，總能耗非常高。閃存里的數據可以長期保存，代價是寫入和擦除需要較高電壓，能耗高、速度慢，且容易損壞。兼具非易失性、低能耗和高速度的新型存儲器，是當前的研究熱點。

研究人員在新一期英國《科學報告》雜志上發表論文說，新設備采用與閃存類似的浮柵構造，但不像閃存那樣使用金屬氧化物半導體，而是由砷化銦、銻化鋁和銻化鎵三種材料組成。其底部是630納米厚的銻化鎵，上面是多個交錯的銻化鋁和砷化銦薄層，厚度從幾納米到幾十納米不等，呈現“千層餅”一樣的異質結構。

實驗發現，由于這三種半導體材料的量子力學特性，新設備能在低電壓下運作，同時實現非易失性存儲。由于電壓和電容需求都很低，該設備的單位面積能耗分別是DRAM和閃存的百分之一和千分之一。此外，它需要進行刷新的時間間隔至少比DRAM長100萬倍，數據保存期限理論上比宇宙的年齡還長。

隨著信息技術發展，電腦和其他電子設備需要處理的數據越來越多，存儲容量飛速增長，存儲器能耗問題卻對運行效率和使用體驗構成嚴重制約。研究人員說，作為一種新型存儲設備，該技術有很大潛力。