円星科技M31昨（17）日宣布，將在臺積電)28納米嵌入式快閃存儲器制程技術開發SRAM Compiler IP，這些IP解決方案將能協助設計人員提升在行動裝置、電源管理、物聯網，車用電子等應用的SoC功耗表現，此系列硅智財預計于今年第3季提供客戶設計整合使用。

M31董事長林孝平表示，隨著網絡傳輸頻寬的不斷加大，資料運算與儲存需求日增。M31在臺積電領先業界的28納米嵌入式快閃存儲器制程開發的IP，除了可以縮短設計周期，同時能降低SoC功耗并提高效能，可廣泛應用于高速的資料處理、電源管理，物聯網、車用電子，以及行動通訊等產品的設計上。

此次M31以臺積電28納米嵌入式快閃存儲器制程技術開發的SRAM Compiler IP功能齊全，支援多種節能模式，使用者可依據不同操作狀態，切換到當下最佳省電模式，來延長行動元件電池的使用時間，以提供客戶更多元的產品運用。基于優異的技術特性，此系列IP可以完全整合在嵌入式快閃存儲器制程平臺上，預計今年第3季提供知名國際大廠采用。