近日，蓋澤半導體迎來了2025年度首臺SOI紅外膜厚量測設備的出機。與此同時，公司舉行了隆重的出機儀式，公司領導與技術研發團隊成員齊聚一堂，共同見證了這一重要時刻。

此次年度首臺設備的順利出貨，不僅標志著蓋澤半導體在新年伊始便展現出強勁的發展勢頭，更彰顯了公司在技術創新與市場拓展方面的卓越成就。近年來，蓋澤半導體的設備憑借其卓越的性能、可靠的品質以及精準的量測能力，贏得了客戶的廣泛贊譽與高度認可。頻繁的設備出貨不僅鞏固了公司在半導體量測領域的市場地位，更進一步提升了蓋澤半導體在行業內的核心競爭力。

SOI是硅晶體管結構在絕緣體之上的意思，原理就是在硅晶體管之間，加入絕緣體物質，可減少兩者之間的寄生電容。此次出機的設備型號為GS-M08X，采用了先進的FTIR（傅里葉變換紅外光譜）技術，并與蓋澤半導體自主研發的量測算法緊密協同。該設備能夠實現對SOI晶圓、硅外延等薄膜厚度的非接觸式測量，并提供高精度的量測結果。

設備裝配了多軸雙臂潔凈機械手和全新設計的Stage平臺，結合自主研發的紅外光路系統，不僅顯著提升了測量效率，還增強了與客戶應用場景的兼容性。此外，設備內部設計了獨特的氣體導流結構，確保晶圓在傳輸過程中的潔凈度。同時，通過多重互鎖保護機制，從軟件到硬件全方位保障晶圓傳輸的安全性，以及人員和設備的運行安全。

自公司創立以來，蓋澤半導體始終深耕半導體量測領域，致力于打造行業領先的技術與產品。公司團隊由國內外知名半導體企業的資深技術專家和研發人員組成，他們在大型先進晶圓廠和設備廠積累了豐富的實戰經驗，憑借深厚的專業背景和創新精神，立志成為國產半導體量測設備的“拓荒者”。

在全球半導體需求持續攀升的當下，蓋澤半導體憑借卓越的技術實力和產品質量，逐步贏得了市場的高度認可，為國產設備在激烈的國際市場競爭中奠定了堅實基礎。展望未來，蓋澤半導體將繼續秉持創新驅動、客戶至上的理念，持續推動技術創新，助力中國半導體產業在全球市場中提升核心競爭力，為行業的高質量發展貢獻更多力量。