當前三星的第六代V-NAND閃存采用單層堆疊技術，最多可具有128層。引入雙層堆疊技術后，使256層NAND閃存成為可能。不過下一代NAND閃存會否配置256層，取決于三星接下來的考量。

在昨日舉行的投資者論壇上，全球存儲芯片龍頭廠商三星電子透露，它將在其未來的NAND閃存芯片中采用“雙層堆疊”（Double-stack Technology）技術，并且有可能開發256層設備。

雙層堆疊使256層閃存可行

NAND閃存是一種非易失性存儲器，由于保存資料時不需要消耗電力，斷電也可以存儲數據。

NAND閃存制造的技術實力可以通過設備中堆疊的存儲單元層數來衡量，更多的層數意味著更高的容量和更大的密度。與單層堆疊解決方案相比，雙層堆疊的方法可以更快地集成更多層。

 三星V-NAND技術圖解/圖源三星

去年8月，三星推出了第六代V-NAND閃存。為使V-NAND具有超過100層的可行性，三星采用了新的電路設計技術。當前，三星計劃利用雙層堆疊技術來開發其下一代V-NAND閃存。

閃存市場供過于求持續，但存儲供應商不改積極擴產態勢，競爭日益激烈。根據TrendForce集邦咨詢的數據，三星是全球最大的NAND閃存制造商，今年第三季度的市場份額為33.1％。

在下一代閃存中引入雙層堆疊方案，三星此舉有助于進一步鞏固其領先地位。

據韓聯社報道，第七代V-NAND正處于開發階段，預計將于明年量產，但三星尚未公布其層配置。三星電子高級副總裁韓進滿表示：“我們的第六代V-NAND采用單堆疊技術最多可具有128層，但如果我們采用雙層堆疊技術，256層堆疊是可能的。”

最佳層數取決于市場

雖然在技術上可以實現256層NAND閃存，但是韓進滿表示，這并不一定意味著三星的下一代NAND將具有這樣的層數配置。

韓進滿說：“芯片中堆疊的實際層數可能會根據消費者的需求和市場狀況而變化。”“這不是關于'你可以堆疊多少層'，而是關于'目前市場上最佳的層數”。”

集邦咨詢分析師葉茂盛在探討全球閃存產業發展態勢時給出預測：制程方面，在2020年NAND Flash疊堆技術突破100層后，2021年繼續往150層以上推進。與此同時，單芯片容量也將自256/512Gb推進至512Gb/1Tb。

葉茂盛指出，2021年廠商將積極借助成本改善吸引客戶升級容量。

封面圖片來源：Samsung