日前，總投資150億元的無錫先導集成電路裝備與材料產業園簽約儀式順利舉行。儀式上作為產業園的首個落戶項目，總投資37億元的吳越半導體氮化鎵襯底及芯片制造項目也正式簽約。

此次先導集團建設全國首個集成電路裝備和核心材料產業園，攜手業界知名公司共建化合物半導體國產自主創新供應鏈，合作研制新型定制化、差異化的設備、零部件和材料，形成具有產業特色的集成電路特色裝備與材料的產業生態，必將為無錫加快打造培育“世界級”產業集群，做強產業鏈各環節，促進產業基礎高端化，提升產業鏈現代化水平，夯實無錫經濟的“產業底盤”做出新的貢獻。高新區將進一步細化市委市政府政策，進一步優化區域營商環境，推動企業復工復產，為無錫當好全省高質量發展領跑者做出貢獻。

據無錫高新區報道，無錫先導集成電路裝備與材料產業園項目規劃占地700畝，總投資150億元，擬分3期進行建設。整個產業園以總部大樓、特色IC設計孵化器、專用裝備基地、高端材料區、特色工藝區進行布局，計劃5年后形成國內領先的半導體裝備與核心零部件材料產業集群，最終形成具有產業特色的集成電路特色裝備與材料的產業生態，填補無錫地區的產業鏈空白。

而吳越半導體氮化鎵襯底及芯片制造項目為首個落戶無錫先導集成電路裝備與材料產業園的項目，主要進行2-6英寸氮化鎵自支撐單晶襯底及GaN-On-GaN功率芯片、射頻芯片的研發和生產。項目總投資約人民幣37億元，計劃用地50畝，全部建成投產后，不僅能夠打通從材料到芯片到器件的整個產業鏈，創造年30億元的銷售額，還能夠填補無錫市在化合物半導體原材料領域的空白，提升我國半導體事業的發展水準。 

封面圖片來源：無錫高新區